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INFINEON

INFINEONのページです。INFINEONは、制御機器/はんだ・静電気対策用品などの商品を提供しています。現在527件の商品をご用意しており、人気商品や新着商品を豊富な品揃えの中からお選びいただけます。また、ご購入いただいたお客様の商品レビューもご確認いただけます。

527件中 1~40件
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  • IRLZ44NPBF INFINEON

    IRLZ44NPBF

    INFINEON
    ¥229税込¥252
    1個
    当日出荷
  • IRF4905PBF INFINEON

    IRF4905PBF

    INFINEON
    ¥479税込¥527
    1個
    当日出荷
  • インフィニオン, ホール効果センサ IC INFINEON

    インフィニオン, ホール効果センサ IC

    INFINEON
    ¥659~税込¥725~
    1袋(5個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
  • Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059 INFINEON

    Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059

    INFINEON
    ¥3,998税込¥4,398
    1個
    欠品中
    「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発
    仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥3,998税込¥4,398
    1袋(20個)
    当日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • IRL540NPBF INFINEON

    IRL540NPBF

    INFINEON
    ¥299税込¥329
    1個
    当日出荷
  • IRF3205PBF INFINEON

    IRF3205PBF

    INFINEON
    ¥399税込¥439
    1個
    7日以内出荷
  • Infineon電流モード PWMコントローラ INFINEON

    Infineon電流モード PWMコントローラ

    INFINEON
    ¥929~税込¥1,022~
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
    AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
    コントロール電流ピン数(ピン)8出力数PWM:1
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    ¥599~税込¥659~
    1個ほか
    3日以内出荷から9日以内出荷
  • IRF9530NPBF INFINEON

    IRF9530NPBF

    INFINEON
    ¥259税込¥285
    1個
    3日以内出荷
  • IRF640NPBF INFINEON

    IRF640NPBF

    INFINEON(1件のレビュー)
    ¥279税込¥307
    1個
    7日以内出荷
  • IRF520NPBF INFINEON

    IRF520NPBF

    INFINEON
    ¥209税込¥230
    1個
    当日出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 150 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥8,998税込¥9,898
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 150 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥219税込¥241
    1個
    6日以内出荷
    Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V. InfinionのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 19 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥759税込¥835
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    ¥549税込¥604
    1個
    7日以内出荷
    インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 160 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 160 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥869税込¥956
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    ¥1,598税込¥1,758
    1個
    6日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    ¥689税込¥758
    1個
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 64 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 64 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥6,198税込¥6,818
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 64 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥13,980税込¥15,378
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ;sub>;ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ;/sub>;この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 375 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 23 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 23 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    ¥6,398税込¥7,038
    1セット(25個)
    7日以内出荷
    PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 23 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 117 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 209 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 209 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    ¥15,980税込¥17,578
    1セット(25個)
    7日以内出荷
    Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 209 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 470 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon デバッガ デバッガ, プログラマ, CY8CKIT-002 INFINEON

    Infineon デバッガ デバッガ, プログラマ, CY8CKIT-002

    INFINEON
    ¥25,980税込¥28,578
    1個
    3日以内出荷
    Microsoft Windows XP/Windows Vista/Windows 7のPCが必要です。PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキット. Cypress SemiconductorのCY8CKIT-002 PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキットは低コストの拡張キットです。Cypressの8ビット / 32ビットPSoCデバイス用に独自のシステムを開発する開発者を対象としています。このキットは、PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のプログラマと、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のデバッグツールです。MiniProg3は、JTAG、SWD、ISSP、I2Cなど、さまざまなプログラミングとデバッグインターフェースに柔軟に対応します。プログラミングの際、MiniProg3は、1.5V → 5.5VのI/O電圧レベルを使用してターゲットデバイスとの通信を可能にします。さらにMiniProg3は、シンプルなターゲットボードに1.8 V/2.5 V/3.3 V/5 Vの4種類の電圧レベルで電力を供給できます。キットの内容 - MiniProg3 プログラマ / デバッガ -10 ピンリボンケーブル - USB A-MiniB ケーブル - クイックスタートガイド 用途 - 組込み設計/開発
    仕様プロダクトタイプ = デバッガ, プログラマRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥519税込¥571
    1袋(2個)
    3日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    ¥6,598税込¥7,258
    1セット(25個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥1,498税込¥1,648
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 整流ダイオード INFINEON

    Infineon 整流ダイオード

    INFINEON
    ¥1,598~税込¥1,758~
    1袋(10個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon ショットキーバリアダイオード INFINEON

    Infineon ショットキーバリアダイオード

    INFINEON
    ¥819~税込¥901~
    1個ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル IGBT INFINEON

    Infineon Nチャンネル IGBT

    INFINEON
    ¥649~税込¥714~
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon 2軸 傾斜センサ INFINEON

    Infineon 2軸 傾斜センサ

    INFINEON
    ¥5,198~税込¥5,718~
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 20kbps LINトランシーバ INFINEON

    Infineon 20kbps LINトランシーバ

    INFINEON
    ¥1,998税込¥2,198
    1セット(12個)
    7日以内出荷
  • IRLZ34NPBF INFINEON

    IRLZ34NPBF

    INFINEON
    ¥209税込¥230
    1個
    7日以内出荷
  • IRL3705NPBF INFINEON

    IRL3705NPBF

    INFINEON
    ¥439税込¥483
    1個
    7日以内出荷
  • IRFZ34NPBF INFINEON

    IRFZ34NPBF

    INFINEON
    ¥179税込¥197
    1個
    7日以内出荷
  • IRFP4468PBF INFINEON

    IRFP4468PBF

    INFINEON
    ¥999税込¥1,099
    1個
    3日以内出荷
  • IRFP140NPBF INFINEON

    IRFP140NPBF

    INFINEON
    ¥479税込¥527
    1個
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  • IRF9Z24NPBF INFINEON

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